Elektronika swój rozwój zawdzięcza powstaniu radia lampowego, które szturmem wkraczało na salony na początku XX wieku. Z magią radia związany był rozwój telekomunikacji radiowej  w tym początki techniki radarowej i telewizyjnej. Ale prawdziwa rewolucja w elektronice nastąpiła po wynalezieniu tranzystora półprzewodnikowego na przełomie wieku XX, za co John Bardeen, Walter Houser Brattain oraz William Bradford Shockley, otrzymali Nagrodę Nobla z fizyki w 1956 roku. Dalszy rozwój musiał nastąpić w technologii wytwarzania półprzewodników, które stosowały struktury półprzewodnikowe na bazie germanu i krzemu i tu z nieba spadła technologia wyciągania kryształów wynaleziona w 1916 roku przez Polaka Jana Czochralskiego, który po Koperniku i  Marii Skłodowskiej jest najczęściej  cytowany w współczesnej literaturze techniczne,  szczególnie w zakresie materiałoznawstwa elektronicznego. Historia pokazała, iż często wielkie odkrycia są dziełem przypadku, jak chociażby odkrycie penicyliny przez Alexandra Fleminga. Nie inaczej było w przypadku Czochralskiego. W trakcie prac nad sposobem pomiaru szybkości krystalizacji metali omyłkowo zanurzył stalówkę swojego pióra w roztopionej cynie. Wyciągając je zauważył, iż za stalówką ciągnie się drobniutki drucik cyny. Dalsze badania nad tym fenomenem dowiodły, iż w ten sposób uzyskał pojedynczy kryształ cyny. Wyniki prac nad tym zjawiskiem opublikowano w 1918 r. w czasopiśmie „Zeitschrift für physikalische Chemie”. Artykuł autorstwa Jana Czochralskiego i Wicharda von Moellendorffa, którego Polak był asystentem na uczelni, nosił tytuł „Nowa metoda pomiaru szybkości krystalizacji metali”.

Metoda pomiaru szybkości krystalizacji metali – Jan Czochralski  19.08.1916r. (PDF) Metoda pomiaru krystalizacji mateli J.Czochralski

Metoda pomiaru szybkości krystalizacji metali według pomysłu Jana Czochralskiego polega na pomiarze szybkości maksymalnej, z jaką można wyciągnąć ze stopu danego metalu cienką nić krystaliczną, tak by nie doszło do jej zerwania. Niezbędny przyrząd, odwzorowany na Fig.1, składa się ze statywu S, krążka prowadzącego F’’ z obiema prowadnicami F’ dla nici jedwabnej F, na której zamocowany jest szklany haczyk [zabierak] M dla nici krystalicznej K. Roztopiony metal Sch znajduje się w tyglu z węgla drzewnego H z bocznym otworem na termometr. Dzięki łatwemu do regulowania mechanizmowi zegarowemu U nić jedwabna F może być łatwo poruszana w górę i w dół. Do mierzenia szybkości służy wskazówka Z i skala milimetrowa MS. Aby ułatwić przywieranie roztopionego metalu do haczyka M, jego czubek a , Fig.2  jest zaopatrzony w cienką powłokę metalową, uzyskaną przez pocieranie w częściowo skrzepłym, papkowatym metalu. W celu przeprowadzenia doświadczenia zanurza się haczyk M w ciekłym, nieco przegrzanym metalu i po ustaleniu się temperatury punktu topnienia, uruchamia się aparat. W wyniku siły kapilarnej haczyk M najpierw wyciąga w górę małą ilość ciekłego metalu, który przy przechodzeniu granicy krystalizacji, Fig.3 e – e  zastyga w pewnej stałej odległości od roztopionego metalu i pociąga za sobą nowe ilości płynnego metalu. Przy odpowiednio dobranej szybkości uzyskiwane są długie cylindryczne nici, podczas gdy konsekwencją różnic w szybkości podciągania i szybkości krystalizacji jest pogrubianie bądź, w przypadku niedostatecznej szybkości krystalizacji, przewężanie i odłamywanie się nici krystalicznej. Dzięki odpowiednim procesom trawienia można było udowodnić, że faktycznie chodziło o homogeniczne, wydłużone igły krystaliczne.

US2683676 PRODUCTION OF GERMANIUM RODS HAVING LONGITUDINAL CRYSTAL, BOUNDARIES,J.B.Little et al. Data patent:13.01.1950. Przedmiotem  wynalazku jest  metoda wytwarzania kryształów germanu o kontrolowanych granicach ziaren. Wynalazek ten odnosi się do ulepszonej metody i aparatury do wytwarzania monokryształów lub kontrolowanych polikryształów, w szczególności germanu, która  praktyczne znalazła zastosowanie  do produkcji czystego germany przeznaczonego do wytwarzania elementów półprzewodnikowych.

Fig.1 to schemat w pionowym przekroju diametralnym przykładowej  formy aparatury ilustrujący wynalazek; Fig. 2A, 2B, 2C i 2D pokazują pojedyncze pręty krystalicznego  germanu otrzymane za pomocą  aparatury według wynalazku; Fig. 3A, 3B i 3C ilustrują krystaliczny german w postaci prętów wyprodukowane zgodnie z tym wynalazkiem; Fig. 4 pokazuje krystaliczny german w postaci pręta, którego część została wyciągnięta w obecności  strumienia wodoru i pary wodnej;   Fig. 5 jest wykresem pomiarów elektrycznych krystalicznego germanu z Fig. 4.Na Fig. 2A, 2B, 3A, 3B, 3C i 4 wskazane są wymiary kryształu.

Aparatura według wynalazku, Fig.1 zawiera  stojak 5 podtrzymuje słoik dzwonkowy  6, przez który można przepuszczać wodór lub dowolny pożądany gaz, pompowany prze wlot 7 i wypływając przez wylot 8. Przez przekrój słoika 6 można obejrzeć aparat do topienia i krystalizacji germanu. Przyrząd ten składa się z grafitowego tygla 10 zwieńczającego słupek 11 i otoczonego chłodzonymi wodą cewkami 12 zasilanymi prądem o wysokiej częstotliwości, który ogrzewa  tygiel indukcyjny 10 i jego zawartość 15, składającą się z granulek  lub wlewki  germanu o wysokiej czystości. Jednym ze sposobów przygotowania germanu  polega na redukcji  tlenku germanu oraz  stopienie germanu w odpowiedniej atmosferze lub w próżni w zależności od pożądanego typu półprzewodnikowego, co  umożliwia zestalenia germanu w tyglu grafitowym, w którym został stopiony. Powyżej tygla 10 porusza się pionowo ciężar 16 do którego przymocowany jest zarodek krystaliczny 17 germanu. Ciężar 16 przesuwa się w górę po uruchomieniu silnika 18, który obraca wał gwintowany  20, ciągnąc w dół nakrętkę przesuwna  21, a wraz z nią drut 22, który przechodzi przez koła pasowe, jak pokazano, zapewnia podnoszenie ciężarka 16 wzdłuż osi rury 23. Wsad czystego proszku  germanu 15 umieszczony  w tyglu 10, osłania słoik dzwonkowy, który jest  przepłukiwany azotem, aby zastąpić powietrze. Cały proces odbywa się w obecności wodoru, który przepływa przez aparaturę  z szybkością około 100 stóp sześciennych na godzinę. Po włączeniu źródła 25 prądu o częstotliwości 350kHz następuje ogrzewanie  tygla  przez indukcję. Masa germanu 15 jest topiona i utrzymywana w temperaturze powyżej temperatury topnienia wystarczająco długo, aby można było utrzymać równowagę termiczną w całym tyglu . Przy odpowiednim działaniu silnika 18,  zarodek 17 jest  opuszczany na głębokość około milimetra poniżej tafli płynnego germanu. Po włączeniu silnika 18 jest następnie podnoszenie zarodka 17  z szybkością około 0,19 cala na minutę, co zapewnia krystalizacje germany w postaci kolumny 26. Podczas podnoszenia kolumny 26  krystaliczny  german jest chłodzony strumieniem wodoru, który jest dostarczany przez otwory w pierścieniu 27, chłodząc obszar przejścia  płynnego germany, a wyciąganym rdzeniem stałego kryształu. Ciężar  rosnącego kryształu, jest podtrzymywany przez napięcie drutu 22, tak więc, niezależnie od długości i średnicy pręta 26, nie wywiera ona żadnego naprężenia na stop, z którego jest wyciągana, co zapewnia, że  german   krystalizuje bez ograniczeń w dowolnym kierunku.

 PL171737 Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Zbigniew Gałązka Data patentu: 30.06.1997. Przedmiotem wynalazku jest urządzenie do monokrystalizacji metodą Czochralskiego, stosowane zwłaszcza w procesie monokrystalizacji materiałów tlenkowych, wymagających zastosowania określonych gradientów temperaturowych.

Konstrukcja urządzenia według wynalazku jest objaśniona w przykładowym wykonaniu, przedstawionym na rysunku, na którym fig.1 – przedstawia urządzenie w przekroju pionowym, fig.2 – pierścień dynamiczny i jego zamocowanie do uchwytu zarodka w rzucie aksonometrycznym, zaś fig.3 – pierścień dynamiczny i jego zamocowanie w widoku z góry.

Urządzenie, przedstawione na rysunku, ma obudowy ceramiczna 1 z systemem grzejnym 12,  z rozłącznie umieszczoną na niej pokrywą ceramiczną 2. Współosiowo w obudowie 1 jest umieszczony rozłącznie tygiel metalowy 8 z topionym materiałem wsadowym 9. Przez centrycznie usytuowany w pokrywie 2 obudowy 1 otwór przechodzi pionowa rurka ceramiczna 3, sprzężona z obrotowym układem mechanicznym wyciągania, nie pokazanym na rysunku. Do rurki 3 poprzez metalowy uchwyt 7 zamocowany jest zarodek monokryształu niobianu litu 10. Nad tyglem metalowym 8 usytuowany jest współosiowo dogrzewacz metalowy 6 z nieruchomo umieszczonym poziomo w jego dolnej części metalowym pierścieniem dolnym  5  o średnicy wewnętrznej  większej od średnicy wyciąganego kryształu. Pod pokrywą  ceramiczna 2 jest umieszczony rozłącznie poziomy pierścień metalowy 4,domykający dogrzewacz 6. Na metalowym uchwycie 7 zarodka monokryształu niobianu litu 10 jest poziomo zamocowany rozłącznie przy pomocy metalowych zatyczek 13 zamknięty metalowy pierścień dynamiczny 11 o średnicy zewnętrznej mniejszej od średnicy wewnętrznej dogrzewacza metalowego 6. Średnica wewnętrzna pierścienia dynamicznego 11 stanowi  25%  średnicy wyciąganego kryształu. Grubość  pierścienia 11 wynosi 0,5 mm. Pierścień dynamiczny 11 na obwodzie wewnętrznym ma symetrycznie usytuowane promieniście cztery wycięcia 14.

Zarodek monokryształu 10, zamocowany do rurki ceramicznej 3 poprzez uchwyt metalowy 7 dotyka do powierzchni materiału wsadowego 9, topionego w tyglu metalowym 8. Monokrystalizacja zachodzi przez dołączanie się cząsteczek topionego materiału do obracającego się wraz z rurką 3 i wyciąganego zarodka 10. Prędkość obrotową i wyciągania ustala sit indywidualnie dla danej średnicy kryształu. Po osiągnięciu przez kryształ założonych wymiarów odrywa się go od cieczy i studzi przez kilkanaście do kilkudziesięciu godzin. Pierścień dynamiczny 11, zamocowany do metalowego uchwytu 7, podlega wraz z rurką 3 ruchowi z prędkością równą prędkości wyciąganego kryształ u, zapewniając stalą odległość od rosnącego kryształu, a tym samym odpowiedni osiowy gradient temperatury podczas procesu wzrostu kryształu. Położenie pierścienia dynamicznego 11 blisko cieczy pozwala ponadto na ograniczenie strat ciepła przez promieniowanie z obszarów, znajdujących sit poniżej pierścienia dynamicznego 11. Wycięcia 14 na obwodzie wewnętrznym pierścienia 11 dają możliwość sterowania jego temperatury, a tym samym możliwość uzyskania korzystnego rozkładu temperatury na powierzchni cieczy i w jej otoczeniu. Zamknięty pierścień 11, znajdujący sit w polu systems grzejnego 12, jest dodatkowym źródłem ciepła, co pozwala na większy zakres zmian warunków termicznych w układzie.

 US5126113 APPARATUS AND METHOD EMPLOYING INTERFACE HEATER SEGMENT FOR CONTROL OF SOLDIFICATION INTERFACE SHAPE IN A CRYSTAL GROWTH PROCESS, Yamagishi et al. Data patent 30.06.1992.Wynalazek dotyczy aparatury do wytwarzania pojedynczych kryształów, takich jak wlewka krzemu jednokrystalicznego, wytworzona metodą Czochralskiego – CZ, znaną również jako metoda ciągnąca. W szczególności odnosi się to do takiego aparatu, który jest w stanie bezpiecznie wytwarzać dużej średnicy, ciężki pojedynczy kryształ wyhodowany w/w metodą. W produkcji monokryształów, takich jak krzemy monokrystaliczne, uprawianych metodą CZ, polikrystaliczny proszek krzemowy jest topiony w tyglu kwarcowym ogrzewanym w komorze przez ogrzewanie oporowe lub ogrzewanie o wysokiej częstotliwości. Po przymocowaniu zarodka kryształu do dolnego końca wału ciągnącego lub drutu ciągnącego umieszczonego nad tyglem kwarcowym, wał ciągnący lub drut ciągnący jest przykryty w celu zanurzenia lub zanurzenia zarodka w stopie polikrystalicznego krzemu. Następnie kryształ nasienny jest powoli wyciągany ze stopionego krzemu podczas obracania się z wcześniej określoną prędkością, tworząc w ten sposób wlewkę jednokrystaliczną wyhodowaną metodą CZ.

Fig.1 jest diagramowym przekrojem poprzecznym aparatury do wytwarzania  wlewki jednokrystalicznej wyhodowanej metodą Czochralskiego zgodnie z pierwszym wcieleniem niniejszego wynalazku; Fig.2 to widok elewacji z przodu przedstawiający zmodyfikowany palec uchwytu aparatu; Fig.3 to widok podobny do Fig.1, pokazujący aparat podczas ciągnięcia wlewka pojedynczego kryształu; Fig. 4 jest fragmentarycznym przekrojem poprzecznym aparatury, ponieważ ciągnie ona wlewkę z pojedynczym kryształem o górnej części końcowej, w tym asymetrycznym kroku załączania; Fig.5 to fragmentaryczny widok przekroju aparatu wytwarzającego pojedynczy monokryształ zgodnie z drugim przykładem wykonania tego wynalazku; Fig.6 jest diagramowym przekrojem poprzecznym aparatu do wytwarzania pojedynczego monokryształu wyhodowanego metodą Czochralskiego zgodnie z trzecim wcieleniem tego wynalazku; Fig.7 jest przekrojem poprzecznym wykonanym wzdłuż linii VII-VII Fig. 6; Fig. 8 jest diagramowym widokiem ilustrującym sposób, w jaki skurcz palca angażuje krok zaczepowy w górnej części wlewki jednokrystalicznej; Fig.9 jest fragmentarycznym przekrojem poprzecznym aparatury pokazanej na Fig.8, która  ciągnie  pojedynczą kryształową wlewkę o górnej części końcowej, w tym asymetrycznym kroku załączania; Fig.10 to diagramowy widok przekroju poprzecznego aparatu wytwarzającego wlewki jednokrystaliczne zgodnie z czwartym wcieleniem tego wynalazku.

Odnosząc się do rysunków, w których podobnie jak znaki odniesienia oznaczają podobne lub odpowiadające im części w kilku widokach, Fig.1 i 3 diagramowo pokazują urządzenie 10 tego wynalazku do wytwarzania wlewka jednokrystalicznego wyhodowanego metodą Czochralskiego (CZ), znaną również jako metoda ciągnąca. Przyrząd 10 zawiera tygiel kwarcowy 12 i uchwyt na zarodek kryształu 14, które są umieszczone w komorze nad tyglem 12  ogrzewanym przez grzałkę oporową lub grzałkę wysokiej częstotliwości, która jest rozmieszczona wokół tygla  12 w celu stopienia granulowanego polikryształu kwarcu.  Uchwyt zarodka 14 jest połączony ze środkiem ciągnącym 22, który składa się z połączonego mechanizmu obrotowo-podnoszącego. Zarodek kryształu 16 jest obniżany za pomocą środków ciągnących 22, aż jego dolny koniec zostanie zanurzony  zanurzony w stopionym krzemie 24  w tyglu kwarcowym 12. Proces  ciągnięcia oznacza, że mechanizm 22 stopniowo wyciąga zarodek  16 w górę z polikrystalicznego stopu 24 podczas obracania go, tak że szyjka Dash 26 z wlewki pojedynczego kryształu 18  ma średnicę znacznie mniejszą niż średnica korpusu wlewka jednokrystalicznego 18. W tym celu, podczas początkowego etapu operacji ciągnięcia, temperatura stopu 24 jest ustawiana na niskim poziomie lub alternatywnie szybkość podnoszenia nasion jest ustawiana na wysokim poziomie. Szybkość podnoszenia nasion jest ustawiana na niskim poziomie, dzięki czemu głowica o dużej średnicy 28 powstaje bezpośrednio pod szyją Dash 26. Następnie szybkość podnoszenia nasion zmienia się na wyższy poziom, tak aby utworzyć szyjkę o małej średnicy 30 przylegających do głowy 28. Głowa 28  i  szyja 30 wspólnie tworzą skierowany w dół wgłębienie 32, które zapewnia założenie uchwytów 39 podtrzymujący dalsze wyciąganie pręta krzemowego o znacznej średnicy i ciężarze. Każde z ramion 39 składa się z dźwigni w kształcie litery L i ma końcu palec uchwytu 38 wygięty promieniście do wewnątrz. Pierścień 40 jest przesuwany wokół ramion uchwytu 39 zabezpiecz mocne uchwycenie górnej części wlewki jednokrystalicznej 18 przed oderwaniem. Pierścień 40 stanowi zatem środek trzymania. Górny koniec każdego ramienia 39 jest połączony przewodem 42 z silnikiem elektrycznym 44. W celu stabilnego podnoszenia wlewka jednokrystalicznego 18 zaleca się, aby liczba ramion chwytających 39 była trzy lub cztery.  Istotą przyrządy do wytwarzania krzemowej wlewki jednokrystalicznej wyhodowanej metodą Czochralskiego jest zastosowanie wiele ramion chwytających, z których każde ma palec chwytny za pomocą skierowanego w dół stopnia zaczepu utworzonego na górnej części pojedynczego kryształu, oraz pierścień przesuwany dopasowany wokół wielu ramion chwytających, aby utrzymać ramiona chwytające w pozycji zamkniętej. Przyrząd posiadający taki pierścień jest szczególnie korzystny, gdy jest używany do produkcji ciężkiej wlewki jednokrystalicznej, w której ramiona chwytające są narażone na  rozsuwania się przez ciężar wlewki pojedynczego kryształu.

WNIOSKI

Chociaż patent US2683676  nie wspomina, kto jest rzeczywistym twórca ulepszanej metody krystalizacji atomów germanu to trzeba przyznać. że  Little i Teal  pośrednio odświeżyli zasługi Jana Czochralskiego w wynalezieniu metody  monokrystalizacji oraz  zapewniło J. Czochralskiemu znaczącą pozycję we współczesnej nauce. Znalazł stałe miejsce nie tylko w historii nauki, lecz przede wszystkim we współczesnej terminologii naukowej. Wprowadzenie nazwiska Czochralskiego do nazwy metody stało się hołdem kolejnych pokoleń za jego wielkie odkrycie. Trudno się dziwić, że niektórzy nazywają Jana Czochralskiego „prekursorem elektroniki” albo „praojcem elektroniki”, a nawet „ojcem współczesnej cywilizacji elektronicznej XX wieku”.  Idea otrzymywania monokryształu metodą Czochralskiego jest bardzo prosta. Dzisiaj można ją opisać w następujący sposób. Materiał podlegający krystalizacji, po roztopieniu w tyglu, ochładzany jest przy powierzchni stopu do temperatury krzepnięcia. Do powierzchniowej warstwy stopu wprowadzana jest końcówka kapilary, czyli rurki o bardzo małej średnicy odpowiadającej rozcięciu w stalówce z opowieści Czochralskiego (dlatego nazwano to „metodą kapilary”).

Po zassaniu niewielkiej ilości stopionego metalu do jej wnętrza rozpoczyna się krystalizacja stopionego materiału, tworzy się zarodek krystalizacji (zaródź). Aby otrzymać monokryształ o zadanej orientacji stosuje się przygotowany wcześniej zarodek czyli mały kryształek, na którym zaczynają narastać w sposób uporządkowany kolejne warstwy kryształu o tej wymuszonej orientacji. Zarodek zaczyna być wyciągany z tygla z rozstopionym materiałem  z określoną szybkością tak, by nie został zerwany kontakt wyciąganego kryształu ze stopem. Napięcie powierzchniowe utrzymuje krótki słupek ciekłego materiału u wylotu kapilary lub „przylepionego” do zarodzi. Zetknięcie się tego słupka ciekłego materiału z chłodniejszym powietrzem powoduje powolne jego krzepniecie nad powierzchnią cieczy. W efekcie otrzymuje się tzw. monokryształ, a więc materiał o szczególnie cennych własnościach fizycznych. Odpowiedni dobór szybkości wyciągania, wzajemny obrót kryształu i tygla, rozkład temperatur w tyglu i wiele innych parametrów wpływają na rozmiary i jakość otrzymanego monokryształu. Kiedyś nazywano to „pojedynczym kryształem”, dziś używamy terminu „monokryształ”. Cechą charakterystyczną takiego materiału jest tak dobrze uporządkowane ułożenie atomów, że oba końce kryształu mają dokładnie taką samą orientację swojej struktury wewnętrznej niezależnie od wielkości otrzymanego kryształu. 

Choć Little, Teal  nie odkryli metody „wyciągania” monokryształów, nie można jednak pomijać ich zasług w opracowaniu całej „otoczki”, czyli aparatury zapewniającej właściwe warunki do otrzymywania tak wrażliwych kryształów i w tak wysokich temperaturach (938oC dla germanu i 1414oC krzemu). I tego dotyczyły ich patenty pozostawiając niezmienioną ideę „wyciągania” monokryształów pochodzącą od Czochralskiego. Warto na koniec zauważyć, że wbrew oczekiwaniom autorów patentu US2683676  wspólnota naukowców konsekwentnie stosowała nazwę „metoda Czochralskiego”, a nie mylącą nazwę w rodzaju „proces Teala”.

Dla porządku należy wspomnieć o drugim wynalazku Jana Czochralskiego, które  przyniosło mu  sławę i bogactwo w okresie międzywojennym – to bezcynkowy  stop na panewki łożysk ślizgowych dla kolejnictwa nazwany metalem B (od niemieckiego bahnmetall,  w 1924 roku Czochralski otrzymał na niego patent). Deficytową  cynę zastąpiono w łożyskach z ołowiu dodatkiem litu, sodu lub potasu, dzieki czemu  udało się też pogodzić różne sprzeczne właściwości wykorzystanych materiałów. Stop miał być miękki (by dobrze smarował oś wagonu), ale jednocześnie na tyle twardy, aby nie zużywał się zbyt szybko. Odkrycie Czochralskiego zrewolucjonizowało ówczesny transport kolejowy największych potęg gospodarczych świata.

 PL4349 Metale panewkowe zawierające metale alkaliczne, Metallbank und Metallurgische Gesellschaft Aktiengesellschaft,  Data patentu: 2.03.1926. Łożyska z ołowiu, zawierające dodatki litu, potasu albo sodu posiadają w stosunku do innych stopów metali panewkowych szczególnie doskonałe własności, Stopy panewkowe nawet przy bardzo małej zawartości litu wykazują twardość nie mniejszą od twardości wszelkich innych podobnych stopów. Obok doskonałej zdolności pęcznienia, doskonałej lejności i niskiego punktu topliwości wyróżniają się one wielką wytrzymałością na ciśnienie, dzięki czemu, pod względem konstrukcyjno-technicznym, posiadają własności mniej więcej brązu. Stop, zawierający obok ołowiu, potas i lit w ilościach, nie przekraczających 1,0%, wyróżnia się nadzwyczaj dobrymi  własnościami, dzięki czemu zostaje stosowany szczególnie do łożysk, wystawionych na silne ciśnienia. Wytwarzanie stopu, podług niniejszego wynalazku odbywa się w zwykły sposób, np. przez zwykłe stapianie składników. Mogą jednak mieć zastosowanie wstępne stopy, na przykład z sodu i litu, litu i potasu albo sodu, potasu i litu. Stopy mogą być wytworzone i w sposób inny, na przykład za pomocą elektrolizy, dyfuzji, przetwarzania, zgniatania proszku   i.t.d. przeglad_mechaniczny_1936_t2_n12_str395[1]

http://Historia człowieka niezwykłego / Jan Czochralski – Polska …

RADOSNYCH I ZDROWYCH ŚWIAT BOŻEGO NARODZENIA I SZCZĘŚLIWEGO NOWEGO ROKU 2022 ŻYCZY autor. Do Siego  Roku !!!

https://www.youtube.com/watch?v=s7Y8I_nH43s